對于H6橋拓撲的單相光伏逆變器是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關管呢？
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類型：行業(yè)資訊
日期：2023-04-13 23:32:18
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對于H6橋拓撲的單相光伏逆變器是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關管呢？
對于這個問題其實市場上在應用中已經(jīng)有比較好的答案，目前在H6橋拓撲的單相光伏逆變器中經(jīng)常會用到FGH60N60SMD的IGBT單管。
但由于目前IGBT市場的變化以及產(chǎn)品產(chǎn)能的穩(wěn)定性問題，對于廠家都在考慮如何選擇能代換FGH60N60SMD的型號參數(shù)的IGBT單管來應用呢？在國內(nèi)有有比較好的IGBT能替代該型號參數(shù)的嗎？
以上問題對于任何一家基于H6橋的單相光伏逆變器廠家而言都是重要的。今天飛虹電子就來回答對于基于H6橋的單相光伏逆變器，要使用什么IGBT型才能適配電路這一問題。
對于基于H6橋的單相光伏逆變器，我們推薦使用飛虹電子的FHA60T65A。畢竟FHA60T65A是可以代換FGH60N60SMD等IGBT的產(chǎn)品型號參數(shù)。
為什么？因為FHA60T65A擁有反向并行的快恢復二極管特性、高可靠性，Trench Field Stop technology（拖尾電流非常短、出色的Vcesat飽和壓降、關斷損耗低）、擁有正溫度系數(shù)。
在特點中可知，這一款60A、650V電流、電壓的FHA60T65A型號IGBT單管參數(shù)是很適合使用在基于H6橋的單相光伏逆變器的電路上。
目前在應用中，我們基于H6橋的單相光伏逆變器研發(fā)工程師一定要了解優(yōu)質(zhì)FHA60T65A國產(chǎn)型號的詳細參數(shù)：其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。
FHA60T65A是一款N溝道溝槽柵截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優(yōu)化工藝，來獲得極低的 VCEsat 飽和壓降，單相光伏逆變器IGBT,H6橋拓撲IGBT并在導通損耗和關斷損耗（Eoff）之間能做出來良好的權衡。
目前FHA60T65A型號IGBT單管已經(jīng)廣泛適用于基于H6橋的單相光伏逆變器、高頻車載正玄波AC220V逆變器、光伏逆變器、戶外儲能電源、UPS、變頻器、電焊機和工業(yè)縫紉機等各類硬開關?？商娲渌放菩吞枺篎GH60N60SMD。
FHA60T65A的封裝形式是TO-247，其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。
因此對于選取單相光伏逆變器所需功率開關管(IGBT 或MOSFET) ，由于高頻開關管的開關頻率為20KHZ。所以為減少損耗、提高整機效率，應選取EON/EOFF較小的開關管，單相光伏逆變器IGBT,H6橋拓撲IGBT同時驅(qū)動電路也應相應優(yōu)化，減少開關損耗。
基于H6橋的單相光伏逆變器已經(jīng)廣泛應用于光伏逆變器中。因此對于基于H6橋的單相光伏逆變器如何在元器件上面提升產(chǎn)品質(zhì)量，除選用FGH60N60SMD型號外，還可以用飛虹半導體的國產(chǎn)型號：FHA60T65A型號參數(shù)來替代。
飛虹半導體主要經(jīng)營IGBT、MOS管、場效應管、三極管等半導體器件。目前已取得美國GE、陽光照明、紐福克斯、雷士照明、易事特、茂碩、金萊特、華藝、佛山索爾等優(yōu)質(zhì)客戶的認可與應用。致力為國內(nèi)及全球電子廠商提供優(yōu)質(zhì)的配套服務。除提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制IGBT產(chǎn)品。
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